Birləşmiş Ştatlar çip qızdırmasını basdırmaq üçün yüksək istilik keçiriciliyi olan yarımkeçirici materiallar hazırlayır.
Çipdəki tranzistorların sayının artması ilə kompüterin hesablama performansı yaxşılaşmağa davam edir, lakin yüksək sıxlıq da bir çox qaynar nöqtələr yaradır.
Düzgün istilik idarəetmə texnologiyası olmadan, prosessorun işləmə sürətini yavaşlatmaq və etibarlılığı azaltmaqla yanaşı, həddindən artıq istiləşmənin qarşısını alır və əlavə enerji tələb edən səbəblər də var, enerji səmərəsizliyi problemləri yaradır.Bu problemi həll etmək üçün Los-Ancelesdəki Kaliforniya Universiteti 2018-ci ildə qüsursuz bor arsenid və bor fosfiddən ibarət olan son dərəcə yüksək istilik keçiriciliyinə malik yeni yarımkeçirici material hazırlayıb. almaz və silisium karbid.nisbəti, istilik keçiriciliyi 3 dəfədən çox.
2021-ci ilin iyun ayında Los-Ancelesdəki Kaliforniya Universiteti yüksək güclü kompüter çipləri ilə birləşmək üçün yeni yarımkeçirici materiallardan istifadə edərək çiplərin istilik əmələ gəlməsini uğurla boğdu və bununla da kompüterin işini yaxşılaşdırdı.Tədqiqat qrupu istilik yayma effektini yaxşılaşdırmaq üçün bor arsenid yarımkeçiricisini çip və soyuducu arasında istilik qəbuledicisi və çipin birləşməsi kimi yerləşdirdi və faktiki cihazın istilik idarəetmə performansı üzərində araşdırma apardı.
Bor arsenid substratını geniş enerji boşluğu qallium nitridi yarımkeçirici ilə birləşdirdikdən sonra, qallium nitridi / bor arsenid interfeysinin istilik keçiriciliyinin 250 MW / m2K qədər yüksək olduğu və interfeysin istilik müqavimətinin olduqca kiçik bir səviyyəyə çatdığı təsdiqləndi.Bor arsenid substratı daha sonra alüminium qallium nitrid/qallium nitriddən ibarət qabaqcıl yüksək elektron hərəkətliliyə malik tranzistor çipi ilə birləşdirilir və istilik yayılması effektinin almaz və ya silisium karbidindən əhəmiyyətli dərəcədə yaxşı olduğu təsdiqlənir.
Tədqiqat qrupu çipi maksimum tutumda işlətdi və isti nöqtəni otaq temperaturundan ən yüksək temperatura qədər ölçdü.Təcrübənin nəticələri göstərir ki, almaz soyuducunun temperaturu 137°C, silisium karbid soyuducusu 167°C, bor arsenid soyuducusu isə cəmi 87°C-dir.Bu interfeysin əla istilik keçiriciliyi bor arsenidinin unikal fononik zolaq strukturundan və interfeysin inteqrasiyasından irəli gəlir.Bor arsenid materialı yalnız yüksək istilik keçiriciliyinə malik deyil, həm də kiçik bir interfeys istilik müqavimətinə malikdir.
Daha yüksək cihazın işləmə gücünə nail olmaq üçün istilik qurğusu kimi istifadə edilə bilər.Onun gələcəkdə uzun məsafəli, yüksək tutumlu simsiz rabitədə istifadə olunacağı gözlənilir.Yüksək tezlikli elektrik elektronikası və ya elektron qablaşdırma sahəsində istifadə edilə bilər.
Göndərmə vaxtı: 08 avqust 2022-ci il